本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括提供半导体衬底，在其上形成介电层；在所述介电层上形成高介电常数材料层；在所述高介电常数材料层上形成罩层；在所述罩层上形成无定形硅层；向所述无定形硅层进行离子注入；在所述无定形硅层上形成多晶硅层。本发明所述制造方法，通过在高介电常数材料层上覆盖无定形硅层，向所述无定形硅层注入碳氟化合物，退火工艺使注入的碳和氟进入高介电常数材料层，氟能够减少高介电常数材料层中悬挂键的存在，进而减小阈值电压的漂移；碳能够降低在其他掺杂区中掺杂离子的扩散，有效提高半导体器件的稳定性；此外由于碳和氟仅在一次离子注入工艺中注入完成，注入剂量易于控制，并降低注入损伤。