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发明公开
CN103403860A 半导体装置、半导体装置的制造方法 有权

半导体装置、半导体装置的制造方法
摘要：
本发明涉及制造可抑制容量值的施加电场依赖性上升及电介质膜的初始缺陷这两者的双层多晶硅电容元件。该双层多晶硅电容元件包含：注入有磷离子的下部电极；形成在下部电极上的电介质膜；以及形成在该电介质膜上的上部电极，电介质膜包含将用来形成下部电极的多晶硅膜的一部分氧化而形成的表层部被蚀刻掉的热氧化膜以及形成在热氧化膜上的沉积氧化膜。
摘要（英）：

According to the present invention, a two-layer polysilicon capacitive element is manufactured, whereby it is possible to suppress both the initial defect rate in a dielectric film and an increase in the applied field dependency of the capacitance. The two-layer polysilicon capacitive element comprises a lower electrode implanted with phosphorus ions, a dielectric film formed on the lower electrode, and an upper electrode formed on the dielectric film, wherein the dielectric film includes a thermal oxide film formed by oxidizing a portion of a polysilicon film forming the lower electrode, a surface portion of the thermal oxide film being etched out, and a deposited oxide film formed on the thermal oxide film.

公开/授权文献
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77 ..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78 ...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82 ....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822 .....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
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