本发明涉及无机非金属材料技术领域，特指一种中低频宽带陶瓷滤波器用压电陶瓷材料。所述压电陶瓷的组成为：(xBi(Fe0.9Mn0.1) O3-mBiGaO3-y(Pb0.89Sr0.1Mg0.01)(Ti0.51Zr0.49)O3)+0.03~0.8wt.%In2O3+0.01~0.6wt.%LiNbO3；其中，0.01≤x≤0.1 mol,0.01≤m≤0.1 mol，0.8≤y≤0.98 mol，x+m+y =1。所制备的压电陶瓷的介电常数约为1450左右,机械品质因素为1200左右，径向机电耦合系数为0.60左右，谐振频率温度系数小于0.01%(-55~+85℃),谐振频率时间稳定性好小于0.003%（老化200小时），介质损耗小于0.01%；使用过程中性能稳定性好，安全性高。