- 专利标题: 半色调相移掩模坯料以及半色调相移掩模的制造方法
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申请号: CN201310182377.9申请日: 2013-05-16
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公开(公告)号: CN103424981B公开(公告)日: 2016-07-20
- 发明人: 深谷创一 , 中川秀夫 , 笹本纮平
- 申请人: 信越化学工业株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 信越化学工业株式会社
- 当前专利权人: 信越化学工业株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理商 金龙河; 穆德骏
- 优先权: 2012-112512 2012.05.16 JP
- 主分类号: G03F1/32
- IPC分类号: G03F1/32
摘要:
本发明涉及半色调相移掩模坯料以及半色调相移掩模的制造方法。本发明提供能够在确保由铬系材料构成的遮光膜所要求的光学特性和化学特性等各种特性的同时提高该遮光膜的干蚀刻速度的新技术。在透明衬底(1)上层叠有半色调相移膜(2)和遮光膜(3)。遮光膜(3)具有单层结构或多层结构,至少一层由含有锡的铬系材料形成。另外,半色调相移膜(2)由氮氧化硅钼构成。由含有锡的铬系材料构成的层能够在不使遮光性降低的情况下显著提高含氧的氯类干蚀刻时的蚀刻速度。因此,将图案转印到该遮光膜上时对抗蚀剂图案和硬掩模图案的负荷得到减轻,能够以高精度进行图案转印。
公开/授权文献
- CN103424981A 半色调相移掩模坯料以及半色调相移掩模的制造方法 公开/授权日:2013-12-04