发明授权
CN103443930B 硅量子点的光活性层及其制作方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 硅量子点的光活性层及其制作方法
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申请号： CN201280014208.8申请日： 2012-03-22
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公开(公告)号： CN103443930B公开(公告)日： 2015-12-02
- 发明人: 金庆中 , 洪升辉 , 朴裁熙 , 张淙植
- 申请人： 韩国标准科学研究院
- 申请人地址： 韩国大田广域市
- 专利权人： 韩国标准科学研究院
- 当前专利权人： 韩国标准科学研究院
- 当前专利权人地址： 韩国大田广域市
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 顾晋伟; 全万志
- 优先权： 10-2011-0025425 2011.03.22 KR
- 国际申请： PCT/KR2012/002060 2012.03.22
- 国际公布： WO2012/128564 EN 2012.09.27
- 进入国家日期： 2013-09-18
- 主分类号： H01L31/0352
- IPC分类号： H01L31/0352 ; H01L33/06 ; H01L33/08 ; H01L33/34 ; H01L31/0368
摘要：
本发明提供了一种用于太阳能电池或发光二极管的光活性层及其制造方法。光活性层通过交替堆叠硅量子点层和导电层形成，在所述硅量子点层中，在硅化合物的介质中形成包含导电型杂质的多个硅量子点，所述导电层是包含与硅量子点的导电型杂质相同导电型杂质的多晶硅层。
公开/授权文献
- CN103443930A 硅量子点的光活性层及其制作方法 公开/授权日：2013-12-11