发明授权
- 专利标题： 半导体盲孔的检测方法
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申请号： CN201210174269.2申请日： 2012-05-30
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公开(公告)号： CN103456657B公开(公告)日： 2016-07-27
- 发明人: 陈逸男 , 徐文吉 , 叶绍文 , 刘献文
- 申请人： 南亚科技股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾桃园县
- 专利权人： 南亚科技股份有限公司
- 当前专利权人： 南亚科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾桃园县
- 代理机构： 深圳新创友知识产权代理有限公司
- 代理商 江耀纯
- 主分类号： H01L21/66
- IPC分类号： H01L21/66
摘要：
本发明公开了一种半导体盲孔的检测方法，包括提供一包括导电区的半导体衬底；形成多个暴露出导电区的盲孔;在至少一盲孔的侧壁上形成一层阻档层，其中阻档层的电阻率大于导电区的电阻率，且阻档层和半导体衬底间不是欧姆接触;及在形成各个阻档层后，利用带电射线照射多个盲孔。
公开/授权文献
- CN103456657A 半导体盲孔的检测方法 公开/授权日：2013-12-18