发明授权
CN103460388B 碳化硅半导体器件的制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 碳化硅半导体器件的制造方法
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申请号： CN201280016150.0申请日： 2012-09-04
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公开(公告)号： CN103460388B公开(公告)日： 2017-03-29
- 发明人: 宫原真一朗 , 山本敏雅 , 高谷秀史 , 杉本雅裕 , 渡边行彦 , 副岛成雅 , 石川刚
- 申请人： 株式会社电装
- 申请人地址： 日本爱知县专利权人丰田自动车株式会社
- 专利权人： 株式会社电装
- 当前专利权人： 株式会社电装
- 当前专利权人地址： 日本爱知县专利权人丰田自动车株式会社
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 陈松涛; 夏青
- 优先权： 2011-207181 2011.09.22 JP
- 国际申请： PCT/JP2012/005591 2012.09.04
- 国际公布： WO2013/042327 JA 2013.03.28
- 进入国家日期： 2013-09-27
- 主分类号： H01L29/12
- IPC分类号： H01L29/12 ; H01L21/336 ; H01L29/78
摘要：
一种碳化硅半导体器件的制造方法，包括：在碳化硅衬底(1)上形成漂移层(2)；在所述漂移层(2)的表面部分上或表面部分中形成基极层(4)；形成沟槽(6)，以穿透所述基极层(3)并且到达所述漂移层(2)；在所述沟槽(6)中的所述栅极绝缘膜(7)上形成栅极电极(8)；形成电连接至所述源极区(4)和所述基极层(3)的源极电极(9)；以及在所述衬底(1)的背侧表面上形成漏极电极(11)。形成所述沟槽(6)包括：对衬底表面进行平坦化，并且在平坦化之后蚀刻以形成所述沟槽(6)。(3)；在所述基极层(3)的表面部分中形成源极区
公开/授权文献
- CN103460388A 碳化硅半导体器件的制造方法 公开/授权日：2013-12-18
IPC分类:
