- 专利标题： 激光剥蚀电感耦合等离子体质谱法待测碳化硅粉体样品的前处理方法
- 专利标题（英）： Pretreatment method for silicon carbide powder sample to be tested by using laser ablation inductively coupled plasma mass spectrometry
-
申请号： CN201310422724.0申请日： 2013-09-16
-
公开(公告)号： CN103471890B公开(公告)日： 2015-05-13
- 发明人: 汪正 , 周慧 , 朱燕 , 李青
- 申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 申请人地址： 上海市长宁区定西路1295号
- 专利权人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 当前专利权人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 当前专利权人地址： 上海市长宁区定西路1295号
- 代理机构： 上海瀚桥专利代理事务所
- 代理商 曹芳玲; 郑优丽
- 主分类号： G01N1/28
- IPC分类号： G01N1/28
摘要：
本发明涉及一种激光剥蚀电感耦合等离子体质谱法待测碳化硅粉体样品的前处理方法，通过所述前处理方法将所述碳化硅粉体样品制成适合通过激光剥蚀电感耦合等离子体质谱法测定的块状样品，所述前处理方法包括：（1）将碳化硅粉末研磨后过筛；（2）直接使用手动压片机将过筛后的碳化硅粉末压成圆片，其中压力为8～12Mpa，保压时间为30～50秒；（3）将所述圆片程序升温至1000℃保温烧结2小时；以及（4）程序降温至室温。
公开/授权文献
- CN103471890A 激光剥蚀电感耦合等离子体质谱法待测碳化硅粉体样品的前处理方法 公开/授权日：2013-12-25
