Invention Grant
- Patent Title: 可低温烧结的微波介电陶瓷La3Cu2VO9及其制备方法
- Patent Title (English): Low-temperature sintering microwave dielectric ceramic La3Cu2VO9 and preparation method thereof
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Application No.: CN201310434743.5Application Date: 2013-09-23
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Publication No.: CN103496979BPublication Date: 2015-03-11
- Inventor: 苏聪学 , 李洁 , 方亮
- Applicant: 桂林理工大学
- Applicant Address: 广西壮族自治区桂林市雁山区雁山街319号桂林理工大学(雁山校区)
- Assignee: 桂林理工大学
- Current Assignee: 桂林理工大学
- Current Assignee Address: 广西壮族自治区桂林市雁山区雁山街319号桂林理工大学(雁山校区)
- Main IPC: H01B3/12
- IPC: H01B3/12 ; C04B35/495 ; C04B35/622
Abstract:
本发明公开了一种可低温烧结的微波介电陶瓷La3Cu2VO9及其制备方法。可低温烧结的微波介电陶瓷的化学组成为La3Cu2VO9。(1)将纯度为99.9%以上的La2O3、CuO和V2O5的原始粉末按La3Cu2VO9化学式称量配料。(2)将步骤(1)原料混合湿式球磨12小时,溶剂为蒸馏水,烘干后在800℃大气气氛中预烧6小时。(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在900~950℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,剂量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在900~950℃烧结良好,其介电常数达到19~20,品质因数Qf值高达77000-86000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。
Public/Granted literature
- CN103496979A 可低温烧结的微波介电陶瓷La3Cu2VO9及其制备方法 Public/Granted day:2014-01-08
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