• Patent Title: 可低温烧结的微波介电陶瓷La3Cu2VO9及其制备方法
  • Patent Title (English): Low-temperature sintering microwave dielectric ceramic La3Cu2VO9 and preparation method thereof
  • Application No.: CN201310434743.5
    Application Date: 2013-09-23
  • Publication No.: CN103496979B
    Publication Date: 2015-03-11
  • Inventor: 苏聪学李洁方亮
  • Applicant: 桂林理工大学
  • Applicant Address: 广西壮族自治区桂林市雁山区雁山街319号桂林理工大学(雁山校区)
  • Assignee: 桂林理工大学
  • Current Assignee: 桂林理工大学
  • Current Assignee Address: 广西壮族自治区桂林市雁山区雁山街319号桂林理工大学(雁山校区)
  • Main IPC: H01B3/12
  • IPC: H01B3/12 C04B35/495 C04B35/622
可低温烧结的微波介电陶瓷La3Cu2VO9及其制备方法
Abstract:
本发明公开了一种可低温烧结的微波介电陶瓷La3Cu2VO9及其制备方法。可低温烧结的微波介电陶瓷的化学组成为La3Cu2VO9。(1)将纯度为99.9%以上的La2O3、CuO和V2O5的原始粉末按La3Cu2VO9化学式称量配料。(2)将步骤(1)原料混合湿式球磨12小时,溶剂为蒸馏水,烘干后在800℃大气气氛中预烧6小时。(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在900~950℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,剂量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在900~950℃烧结良好,其介电常数达到19~20,品质因数Qf值高达77000-86000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。
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