本发明实施方案的光电转换元件,其特征在于,该元件具有：p型光吸收层,该p型光吸收层含有Cu、选自由Al、In及Ga构成的组中的至少1种以上的IIIb族元素、与由O、S、Se及Te构成的组中的至少1种以上的元素;以及,上述p型光吸收层上形成的n型半导体层,该n型半导体层为Zn1?yMyO1?XSX、Zn1?y?zMgzMyO(M为选自由B、Al、In及Ga构成的组中的至少1种元素)与由控制载流子浓度的GaP表示的任何一种,在上述Zn1?yMyO1?XSX及Zn1?y?zMgzMy中，x、y、z满足0.55≤x≤1.0、0.001≤y≤0.05及0.002≤y+z≤1.0的关系。