发明授权
- 专利标题: 晶片级光电子器件封装及其制造方法
-
申请号: CN201310237072.3申请日: 2013-06-14
-
公开(公告)号: CN103512596B公开(公告)日: 2017-06-09
- 发明人: S·G·A·萨鲁马林盖姆 , S·J·翁
- 申请人: 英特赛尔美国有限公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州
- 专利权人: 英特赛尔美国有限公司
- 当前专利权人: 英特赛尔美国有限公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
- 代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 张东梅
- 优先权: 61/660,227 20120615 US 13/761,708 20130207 US
- 主分类号: G01D5/30
- IPC分类号: G01D5/30 ; H01L21/60 ; H01L21/56
摘要:
描述了光电子器件(例如,光学接近度传感器)、用于制造光电子器件的方法,以及包括光电子器件的系统。包括光检测器传感器区域的光检测器管芯的光电子器件。光源管芯被附连到光检测器管芯的不包括光检测器传感器区域的部分。在光检测器传感器区域和光源管芯之间形成不透明隔板,透光材料包裹光检测器传感器区域和光源管芯。光源管芯被连接到光检测器管芯,而不是需要连接了光源管芯和光检测器管芯的分开的底基板(例如PCB基板),这样光检测器管芯作为完成的光电子器件的基底。这提供了成本减少并减少了总的封装覆盖区。
公开/授权文献
- CN103512596A 晶片级光电子器件封装及其制造方法 公开/授权日:2014-01-15
IPC分类: