本发明提供一种垂直结构发光二极管及其制造方法，于半导体衬底上依次形成N‑GaN层、量子阱层、P‑GaN层及第一透明导电层，然后刻蚀出多个孔道并制备绝缘侧壁，同时在第一透明导电层上制备绝缘层，接着于各孔道填充电极材料使其与N‑GaN层形成欧姆接触并同时于所述绝缘层上形成电极材料层，然后将所述电极材料层与导电支撑衬底进行键合，导电支撑衬底为芯片的N电极部分，剥离半导体衬底，从N‑GaN层开始刻蚀至所述第一透明导电层，最后制备P电极以完成制备。本发明将通常的垂直结构异侧电极制作在芯片的同侧，简化工艺；点状电极有利于大电流下芯片电流的扩散，使电流密度分布更均匀，有效的提高了发光二极管的发光效率，并提高了发光二极管的寿命。