发明授权
CN103528445B 低发火电压微型半导体桥发火组件
失效 - 权利终止
- 专利标题: 低发火电压微型半导体桥发火组件
- 专利标题(英): Low-igniting-voltage miniature semiconductor bridge igniting assembly
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申请号: CN201310468246.7申请日: 2013-10-09
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公开(公告)号: CN103528445B公开(公告)日: 2015-07-08
- 发明人: 严楠 , 王刚 , 鲍丙亮 , 何爱军 , 焦清介 , 叶耀坤 , 娄文忠 , 张威 , 刘登程 , 温玉全
- 申请人: 北京理工大学
- 申请人地址: 北京市海淀区中关村南大街5号
- 专利权人: 北京理工大学
- 当前专利权人: 北京理工大学
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区中关村南大街5号
- 主分类号: F42B3/13
- IPC分类号: F42B3/13 ; F42C19/12
摘要:
本发明专利公开了一种低发火电压微型半导体桥发火组件。该发火组件将半导体桥换能元芯片用粘结剂固定在微型不对称陶瓷电极塞的梯形凹槽内,该半导体桥换能元芯片上的两个金属电极焊盘分别用键合金属丝与陶瓷塞的两根脚线电极通过焊接相连,使两根脚线与半导体桥形成电路连接,在半导体桥换能元上方装填电热敏感发火药。本发明专利微型半导体桥发火组件的最小全发火电压低至3.83V(10μF),最小全发火能量为0.074mJ,安全电流不小于200mA,发火时间为12.6~16.5μs,具有发火能量低、作用时间短、作用一致性好、抗静电和抗射频能力好的特点,适合微机电系统的应用前景。
公开/授权文献
- CN103528445A 低发火电压微型半导体桥发火组件 公开/授权日:2014-01-22