发明授权
- 专利标题: 场致发射电子源的驱动控制电路
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申请号: CN201310476396.2申请日: 2013-10-12
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公开(公告)号: CN103531421B公开(公告)日: 2016-02-24
- 发明人: 陈垚 , 郑海荣 , 胡信菊 , 曾成志 , 李彦明 , 张其阳 , 洪序达
- 申请人: 深圳先进技术研究院
- 申请人地址: 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号
- 专利权人: 深圳先进技术研究院
- 当前专利权人: 深圳先进技术研究院
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号
- 代理机构: 广州华进联合专利商标代理有限公司
- 代理商 吴平
- 主分类号: H01J35/02
- IPC分类号: H01J35/02 ; H02H3/08
摘要:
本发明涉及一种场致发射电子源的驱动控制电路,包括场致发射电子源,还包括脉冲信号输入端、保护电阻、可调电阻以及开关管;所述脉冲信号输入端与所述保护电阻的一端连接,用于输入脉冲信号;所述保护电阻的另一端连接所述开关管的控制端,所述开关管的低压端接地,所述开关管的高压端与所述可调电阻的一端连接,所述可调电阻的另一端连接所述场致发射电子源的场发射阴极,所述场致发射电子源的栅控门极用于连接直流电源。本发明在IGBT的输入极(即栅极)接入保护电阻,当有过冲电流时,保护电阻两端电压增大,IGBT栅极与发射极之间的电压减小,从而抑制电流过冲。
公开/授权文献
- CN103531421A 场致发射电子源的驱动控制电路 公开/授权日:2014-01-22