本发明公开了一种制备岛动式单电子晶体管的方法，该方法以硅基片、源极、漏极、栅极、岛区和库仑岛为单电子晶体管基本结构，源极、漏极、栅极集成设置在硅基片表面形成的二氧化硅衬底上，在源极、漏极、栅极之间围成的区域中刻蚀出岛区，库仑岛组装于岛区中并可在岛区中活动。岛区利用聚焦离子束刻蚀或者反应离子刻蚀来制备，库仑岛在电场作用下可以在岛区活动，电极与库仑岛之间隧穿势垒随着电场的变化而有所改变；库仑岛利用胶体Au制备技术来制备，其尺寸具有可控性。该器件最终将表现出场发射和库伦阻塞的综合效应。本发明方法能精确控制库仑岛的大小和库仑岛的组装定位，回避了势垒层需要精确控制的问题，显著降低了单电子晶体管制备难度。