Invention Publication
- Patent Title: 亥姆霍兹共振器及其设计方法
- Patent Title (English): Helmholtz resonator and design method thereof
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Application No.: CN201310467224.9Application Date: 2013-10-09
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Publication No.: CN103533488APublication Date: 2014-01-22
- Inventor: 杨东 , 朱民 , 钟迪 , 张晓宇 , 景李玥 , 翁方龙
- Applicant: 清华大学
- Applicant Address: 北京市海淀区北京100084-82信箱
- Assignee: 清华大学
- Current Assignee: 清华大学
- Current Assignee Address: 北京市海淀区北京100084-82信箱
- Agency: 深圳市鼎言知识产权代理有限公司
- Agent 哈达
- Main IPC: H04R3/00
- IPC: H04R3/00

Abstract:
本发明涉及一种亥姆霍兹共振器,该亥姆霍兹共振器用于安装在一声学管道,其包括:一腔体及一颈部,该颈部设置于该腔体的一侧,并用于连通该腔体及所述声学管道;其中,该亥姆霍兹共振器进一步包括一吸声结构,该吸声结构填充于所述颈部,该吸声结构包括多个通孔,且用于连通所述腔体及所述声学管道,该吸声结构的中的通孔水力直径d及孔隙率φ满足以下关系式(1)-(2): 式(1), 式(2),其中,为所述亥姆霍兹共振器的最优声阻值,R为位于所述亥姆霍兹共振器下游的声学管道的反射系数,且为实数;为所述亥姆霍兹共振器10的入口声阻,该为与所述吸声结构16中的通孔水力直径、孔隙率、流动阻力、长度相关的关系式。本发明还涉及上述亥姆霍兹共振器的设计方法。
Public/Granted literature
- CN103533488B 吸声结构16中的通孔水力直径、孔隙率、流动阻亥姆霍兹共振器及其设计方法 力、长度相关的关系式。本发明还涉及上述亥姆 Public/Granted day:2017-01-11
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