发明授权
CN103540995B 一种液相合成锗纳米线的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 一种液相合成锗纳米线的方法
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申请号： CN201310483209.3申请日： 2013-10-15
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公开(公告)号： CN103540995B公开(公告)日： 2016-08-10
- 发明人: 胡俊青 , 吴江红 , 刘倩 , 李博 , 宋国胜 , 李文尧 , 安磊
- 申请人： 东华大学
- 申请人地址： 上海市松江区松江新城人民北路2999号
- 专利权人： 东华大学
- 当前专利权人： 东华大学
- 当前专利权人地址： 上海市松江区松江新城人民北路2999号
- 代理机构： 上海泰能知识产权代理事务所
- 代理商 黄志达
- 主分类号： C30B7/04
- IPC分类号： C30B7/04 ; C30B29/08 ; C30B30/06 ; C30B29/60 ; B82Y40/00
摘要：
本发明涉及一种液相合成锗纳米线的方法，包括：GeI4作为锗源溶解于油胺中，加入金纳米粒子作为催化剂，在无水无氧、320-350℃的条件下反应，用乙醇或正己烷离心、洗涤三次后，在真空干燥箱中室温下干燥，得到锗纳米线。本发明不同于传统的固相法——化学气相沉积，其合成温度低，工艺简单，成本低廉。
公开/授权文献
- CN103540995A 一种液相合成锗纳米线的方法 公开/授权日：2014-01-29
IPC分类:
