发明授权
- 专利标题: 半导体装置
-
申请号: CN201310288288.2申请日: 2013-07-10
-
公开(公告)号: CN103545281B公开(公告)日: 2016-08-03
- 发明人: 国井彻郎 , 辻圣一 , 小柳元良
- 申请人: 三菱电机株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 三菱电机株式会社
- 当前专利权人: 罗姆股份有限公司
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- 代理商 何立波; 张天舒
- 优先权: 2012-155501 2012.07.11 JP
- 主分类号: H01L23/488
- IPC分类号: H01L23/488 ; H01L25/07
摘要:
本发明得到不必增加封装件的尺寸,且不必使特性与可靠性劣化就能够提高输出的半导体装置。封装件(1)内设有输入匹配电路(4)与输出匹配电路(5)。在封装件(1)内,输入匹配电路(4)与输出匹配电路(5)之间设有多个晶体管芯片(6)。各晶体管芯片(6)具备:具有长边与比长边短的短边的四边形的半导体衬底(8);和半导体衬底(8)上分别设置的栅极电极(9)、漏极电极(10)以及源极电极(11)。栅极电极(9)具备:沿半导体衬底(8)的长边方向排列的多个栅极指(9a);和共同连接到多个栅极指(9a)并且用电线连接到输入匹配电路(4)的栅极焊盘(9b)。漏极电极(10)用电线连接于输出匹配电路(5)。多个晶体管芯片(6)的半导体衬底(8)的长边,从输入匹配电路(4)向着输出匹配电路(5)的输入输出方向倾斜。
公开/授权文献
- CN103545281A 半导体装置 公开/授权日:2014-01-29