发明公开
CN103546056A 一种XRAM脉冲产生电路
无效 - 驳回
- 专利标题： 一种XRAM脉冲产生电路
- 专利标题（英）： XRAM pulse generation circuit
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申请号： CN201310482278.2申请日： 2013-10-15
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公开(公告)号： CN103546056A公开(公告)日： 2014-01-29
- 发明人: 王海洋 , 何小平 , 谢霖燊 , 张国伟 , 陈维青 , 陈志强 , 郭帆 , 贾伟 , 李俊娜 , 汤俊萍 , 孙凤荣
- 申请人： 西北核技术研究所
- 申请人地址： 陕西省西安市灞桥区平峪路28号
- 专利权人： 西北核技术研究所
- 当前专利权人： 西北核技术研究所
- 当前专利权人地址： 陕西省西安市灞桥区平峪路28号
- 代理机构： 西北工业大学专利中心
- 代理商 王鲜凯
- 主分类号： H02M9/02
- IPC分类号： H02M9/02
摘要：
本发明涉及一种XRAM脉冲产生电路，主开关选用反向触发双极晶闸管（reverse switching dynistor,RSD），反向触发双极晶闸管是一种新型高功率半导体闭合开关，具有通流能力强、电流变化率、延时抖动小；选用快恢复晶闸管作为初级开关，减小换流过程的能量损失，提高了输出效率。本发明的有益效果是，能够提高输出脉冲的峰值电流、电流变化率、输出效率。通过换流技术，单元电感储能系统的换流能力可达数十kA，与高储能密度电池或小型飞轮发电机配合，大量电感储能单元并联运行，可以实现储能百kJ到几MJ的高功率脉冲电源系统。