- 专利标题: 像素阵列、图像传感器及补偿全局和局部暗电流的方法
-
申请号: CN201310292452.7申请日: 2013-07-12
-
公开(公告)号: CN103546701B公开(公告)日: 2018-05-29
- 发明人: 赵镛性 , 李东宰 , 金泰瓒
- 申请人: 三星电子株式会社
- 申请人地址: 韩国京畿道水原市
- 专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道水原市
- 代理机构: 北京铭硕知识产权代理有限公司
- 代理商 王艳娇; 王占杰
- 优先权: 10-2012-0076611 2012.07.13 KR
- 主分类号: H04N5/361
- IPC分类号: H04N5/361 ; H04N5/374 ; H04N5/378
摘要:
提供一种像素阵列、图像传感器及补偿局部暗电流的方法。提供一种用于图像传感器的像素阵列。所述像素阵列包括暗像素,该暗像素被构造为检测有源像素块中的局部暗电流。所述暗像素与光学黑色像素块不同,其中,所述光学黑色像素块被布置在有源像素块周围并被构造为检测全局暗电流。所述像素阵列被构造为补偿暗阴影,其中,所述暗阴影不通过使用从布置在有源像素块内的暗像素输出的局部暗电流的全局暗电流补偿进行补偿。
公开/授权文献
- CN103546701A 像素阵列、图像传感器及补偿局部暗电流的方法 公开/授权日:2014-01-29