Invention Grant
CN103557967B 一种硅微谐振式压力传感器芯体及制作方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 一种硅微谐振式压力传感器芯体及制作方法
- Patent Title (English): Silicon micro-resonance mode pressure sensor core and manufacturing method
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Application No.: CN201310595320.1Application Date: 2013-11-22
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Publication No.: CN103557967BPublication Date: 2015-06-10
- Inventor: 吴亚林 , 金建东 , 王明伟 , 李玉玲 , 田雷 , 吴紫峰 , 刘智辉 , 王永刚
- Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
- Applicant Address: 黑龙江省哈尔滨市南岗区一曼街29号
- Assignee: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
- Current Assignee: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
- Current Assignee Address: 黑龙江省哈尔滨市南岗区一曼街29号
- Agency: 哈尔滨市松花江专利商标事务所
- Agent 张宏威
- Main IPC: G01L1/10
- IPC: G01L1/10 ; G01L9/06

Abstract:
一种硅微谐振式压力传感器芯体及制作方法,属于传感器领域,本发明为了避免使用硅-硅直接键合、硅片减薄等复杂技术,避免谐振子制作过程中引入较大的残余应力问题。本发明包括下层基片和上层基片,键合为一个整体;下层基片上设置谐振梁、压力敏感膜片、下层激励电极、压敏电阻和下层引线焊盘;谐振梁的上表面设置下层激励电极和压敏电阻,压力敏感膜片设置在谐振腔的底部;上层基片上设置有振动槽和上层激励电极;上层基片的下表面设置有振动槽,在振动槽的槽底表面覆有上层激励电极;上层基片下表面的凹槽与谐振梁所在谐振腔形成密闭空间,下层激励电极与上层激励电极的位置相对设置;下层基片选用SOI硅片;上层基片选用玻璃片。
Public/Granted literature
- CN103557967A 一种硅微谐振式压力传感器芯体及制作方法 Public/Granted day:2014-02-05
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