Invention Grant
- Patent Title: 互补双极型反相器
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Application No.: CN201280026281.7Application Date: 2012-04-15
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Publication No.: CN103563066BPublication Date: 2016-03-16
- Inventor: 蔡劲 , R·H·登纳德 , W·E·哈恩斯科 , T·H·宁
- Applicant: 国际商业机器公司
- Applicant Address: 美国纽约
- Assignee: 国际商业机器公司
- Current Assignee: 格芯公司
- Current Assignee Address: 美国纽约
- Agency: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- Agent 于丽
- Priority: 13/158,419 2011.06.12 US
- International Application: PCT/US2012/033713 2012.04.15
- International Announcement: WO2012/173693 EN 2012.12.20
- Date entered country: 2013-11-29
- Main IPC: H01L21/70
- IPC: H01L21/70
Abstract:
示例实施例是一种互补晶体管反相器电路。所述电路包括:绝缘体上半导体(SOI)衬底、被制造在所述SOI衬底上的横向PNP双极型晶体管和被制造在所述SOI衬底上的横向NPN双极型晶体管。横向PNP双极型晶体管包括PNP基极、PNP发射极和PNP集电极。横向NPN双极型晶体管包括NPN基极、NPN发射极和NPN集电极。PNP基极、PNP发射极、PNP集电极、NPN基极、NPN发射极和NPN集电极毗邻SOI衬底的掩埋绝缘体。
Public/Granted literature
- CN103563066A 互补双极型反相器 Public/Granted day:2014-02-05
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IPC分类: