本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：提供包括NMOS区和PMOS区的半导体衬底，所述NMOS区和PMOS区上形成有具有侧壁结构的栅极结构；依次形成一具有拉应力的应力层和一厚氧化物层，以覆盖所述NMOS区和PMOS区；去除覆盖在所述PMOS区的氧化物层和具有拉应力的应力层；形成一具有压应力的应力层，以覆盖所述PMOS区和NMOS区；形成一牺牲层，以覆盖所述具有压应力的应力层；回蚀刻所述牺牲层，以露出位于覆盖在所述NMOS区的氧化物层的顶部的具有压应力的应力层；去除所述位于覆盖在所述NMOS区的氧化物层的顶部和侧壁上的具有压应力的应力层；去除所述牺牲层和所述氧化物层。根据本发明，在形成所述自对准界面的同时，不会减弱所述压应力层所产生的应力。