发明公开
CN103579405A 具有强吸收结构的高速SNSPD及其制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 具有强吸收结构的高速SNSPD及其制备方法
- 专利标题(英): High-speed SNSPD with high-absorption structure and preparation method of high-speed SNSPD
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申请号: CN201310596327.5申请日: 2012-09-10
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公开(公告)号: CN103579405A公开(公告)日: 2014-02-12
- 发明人: 成日盛 , 刘建设 , 李铁夫 , 陈炜
- 申请人: 清华大学
- 申请人地址: 北京市海淀区100084信箱82分箱清华大学专利办公室
- 专利权人: 清华大学
- 当前专利权人: 清华大学
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区100084信箱82分箱清华大学专利办公室
- 代理机构: 西安智大知识产权代理事务所
- 代理商 贾玉健
- 分案原申请号: 2012103336617 2012.09.10
- 主分类号: H01L31/08
- IPC分类号: H01L31/08 ; H01L31/0352 ; H01L31/18 ; G01J1/42
摘要:
具有强吸收结构的高速SNSPD及其制备方法,该SNSPD基于高折射率入射介质和空气腔结构,可以进一步提高超导纳米线的光子吸收率,与现有技术相比,本发明用相同材料和厚度的超导超薄膜制成纳米线的条件下,用更低的占空比就可以实现接近于100%的吸收率,这使得电子束曝光步骤的难度大大降低,这尤其对于超细纳米线的制备来说更为有利,而SOI衬底的采用则可以同时保证超导薄膜的高质量生长,不影响探测器的本征量子效率,另外,在保证同样大的有效探测面积的条件下,由于需要的纳米线的总长度显著减小,探测器的最高计数率可以得到提升,制备过程中发生缺陷的概率显著降低。
公开/授权文献
- CN103579405B 具有强吸收结构的高速SNSPD及其制备方法 公开/授权日:2015-09-30
IPC分类: