- 专利标题: 一种Cu-Zn-In-S量子点发光薄膜的制备方法
- 专利标题(英): Preparation method of Cu-Zn-In-S quantum dot luminescent thin film
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申请号: CN201310461081.0申请日: 2013-09-29
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公开(公告)号: CN103589427B公开(公告)日: 2015-06-17
- 发明人: 向卫东 , 骆乐 , 谢翠屏 , 王京 , 杨海龙 , 梁晓娟
- 申请人: 温州大学
- 申请人地址: 浙江省温州市茶山高教园区
- 专利权人: 温州大学
- 当前专利权人: 温州大学
- 当前专利权人地址: 浙江省温州市茶山高教园区
- 代理机构: 杭州天正专利事务所有限公司
- 代理商 黄美娟; 俞慧
- 主分类号: C09K11/62
- IPC分类号: C09K11/62
摘要:
本发明公开了一种Cu-Zn-In-S量子点发光薄膜制备方法,包括如下步骤:(1)将氯化亚铜、氯化铟、锌盐、盖帽剂、表面包覆剂加入到非极性高沸点有机溶剂中得到Cu、In、Zn混合前体溶液,在氮气或惰性气体气氛中搅拌加热形成澄清透明溶液;(2)将硫的油胺溶液加入到步骤(1)获得的澄清透明溶液中,加热反应制备得到Cu-Zn-In-S量子点溶液;(3)分离得到Cu-Zn-In-S量子点;(4)将制得的Cu-Zn-In-S量子点与LED灌封胶的A组分混合;(5)将LED灌封胶的B组分与步骤(4)中得到的混合物均匀混合,去除气泡,再将产物涂覆在玻璃基片上,室温固化得到Cu-Zn-In-S量子点发光薄膜。本发明制得的Cu-Zn-In-S量子点发光薄膜荧光光谱可调,兼具Cu-Zn-In-S量子点优异的荧光性能及有机硅AB胶良好的机械加工性能。
公开/授权文献
- CN103589427A 一种Cu-Zn-In-S量子点发光薄膜的制备方法 公开/授权日:2014-02-19