- 专利标题: 一种Tb、Mn和Ni三元共掺杂的低漏电流BiFeO3薄膜及其制备方法
- 专利标题(英): Tb, Mn and Ni ternary co-doped low leakage current BiFeO3 film and preparation method thereof
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申请号: CN201310542453.2申请日: 2013-11-04
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公开(公告)号: CN103601248B公开(公告)日: 2015-06-24
- 发明人: 谈国强 , 董国华 , 罗洋洋
- 申请人: 陕西科技大学
- 申请人地址: 陕西省西安市未央区大学园1号
- 专利权人: 陕西科技大学
- 当前专利权人: 深圳鹏渤信息科技有限公司
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市未央区大学园1号
- 代理机构: 西安通大专利代理有限责任公司
- 代理商 陆万寿
- 主分类号: C01G49/00
- IPC分类号: C01G49/00
摘要:
一种Tb、Mn和Ni三元共掺杂的低漏电流BiFeO3薄膜及其制备方法,将硝酸铋、硝酸铁、硝酸铽、醋酸锰和乙酸镍按(0.91-0.97):(0.96-x):(0.08-0.14):0.04:x的摩尔比溶于由乙二醇甲醚和醋酸酐混合而成的混合液中,然后搅拌均匀得到BiFeO3前驱液;其中,x=0.01~0.02;将BiFeO3前驱液旋涂在FTO/glass基片上制备湿膜,将湿膜烘烤得干膜,然后在550℃退火8~13min,得到晶态BiFeO3薄膜,待晶态BiFeO3薄膜冷却后,再重复使晶态BiFeO3薄膜达到所需厚度,即得到Tb、Mn和Ni三元共掺杂的低漏电流BiFeO3薄膜。本发明设备要求简单,适宜在大的表面和形状不规则的表面上制备薄膜,且化学组分精确可控,并且能够提高薄膜的电性能,BiFeO3在350kV/cm的测试电场下漏电流密度仍保持在10-5A/cm2以下,在100kHz的测试频率下介电常数为240~270。
公开/授权文献
- CN103601248A 一种Tb、Mn和Ni三元共掺杂的低漏电流BiFeO3薄膜及其制备方法 公开/授权日:2014-02-26