发明授权
CN103603043B 一种嵌入式籽晶生长钙掺杂YBCO准单晶体的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种嵌入式籽晶生长钙掺杂YBCO准单晶体的方法
-
申请号: CN201310628453.4申请日: 2013-11-29
-
公开(公告)号: CN103603043B公开(公告)日: 2016-04-06
- 发明人: 姚忻 , 王伟 , 彭波南 , 郭林山 , 陈媛媛 , 雷一明 , 庄宇峰 , 李昊辰
- 申请人: 上海交通大学
- 申请人地址: 上海市闵行区东川路800号
- 专利权人: 上海交通大学
- 当前专利权人: 上海交通大学
- 当前专利权人地址: 上海市闵行区东川路800号
- 代理机构: 上海旭诚知识产权代理有限公司
- 代理商 郑立
- 主分类号: C30B29/22
- IPC分类号: C30B29/22 ; C30B1/04 ; B22F1/00
摘要:
本发明公开了一种嵌入式籽晶生长钙掺杂YBCO准单晶体的方法,包括如下工序:a)制备Y123相的粉末;b)制备嵌入式籽晶的前驱体;c)将嵌入式籽晶的前驱体置于生长炉中进行熔融织构法生长钙掺杂YBCO准单晶体;其中,前驱体按Y123+(0~15)wt%CaCO3+(0.3~1.5)wt%CeO2的比例混合均匀,压制而成的圆柱形前驱体;嵌入式籽晶是指在压制过程中,将籽晶的诱导生长面水平地固定嵌入前驱体的内部。本发明的籽晶嵌入到钙掺杂YBCO前驱体内,有效抑制薄膜籽晶中的稀土元素的溶解和扩散,保证薄膜在高温状态的结构完整,提高薄膜的热稳定性,进而利于钙掺杂YBCO准单晶体的制备。
公开/授权文献
- CN103603043A 一种嵌入式籽晶生长钙掺杂YBCO准单晶体的方法 公开/授权日:2014-02-26
IPC分类: