发明授权
CN103616092B 用于强流电子束能量沉积深度测量的薄片阵列式量热计
失效 - 权利终止
- 专利标题: 用于强流电子束能量沉积深度测量的薄片阵列式量热计
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申请号: CN201310415491.1申请日: 2013-09-12
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公开(公告)号: CN103616092B公开(公告)日: 2016-03-09
- 发明人: 孙江 , 杨海亮 , 孙剑锋 , 来定国 , 苏兆峰 , 张鹏飞
- 申请人: 西北核技术研究所
- 申请人地址: 陕西省西安市69信箱
- 专利权人: 西北核技术研究所
- 当前专利权人: 西北核技术研究所
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市69信箱
- 代理机构: 西安智邦专利商标代理有限公司
- 代理商 王少文
- 主分类号: G01K17/00
- IPC分类号: G01K17/00 ; G01T1/29
摘要:
本发明提供的用于强流电子束能量沉积深度分布测量的薄片阵列式量热计,吸收电子束能量的薄片设计成了内半径沿轴向大小渐变的圆环形,两相邻薄片之间采用聚四氟乙烯环作为隔热材料,通过聚四氟乙烯螺钉将薄片和聚四氟乙烯环连接到石墨准直孔上,量热计末端开有透红外窗,在透红外窗外,通过红外相机拍摄薄片阵列的红外热辐射图像,并送入计算机进行图像数据处理,得到每层薄片上沉积的能量,给出所测电子束能量沉积深度分布。本发明解决了石墨薄片阵列量热计时间响应差,对薄片材料机械性能要求高的问题。
公开/授权文献
- CN103616092A 用于强流电子束能量沉积深度测量的薄片阵列式量热计 公开/授权日:2014-03-05