发明公开
- 专利标题: 用于气敏材料的多孔硅/氧化钨纳米线复合结构的制备方法
- 专利标题(英): Preparation method of porous silicon/tungsten oxide nanowire composite structure for gas-sensitive material
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申请号: CN201310498459.4申请日: 2013-10-21
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公开(公告)号: CN103630572A公开(公告)日: 2014-03-12
- 发明人: 胡明 , 马双云 , 崔珍珍 , 李明达 , 曾鹏 , 闫文君
- 申请人: 天津大学
- 申请人地址: 天津市南开区卫津路92号
- 专利权人: 天津大学
- 当前专利权人: 天津大学
- 当前专利权人地址: 天津市南开区卫津路92号
- 代理机构: 天津市北洋有限责任专利代理事务所
- 代理商 张宏祥
- 主分类号: G01N27/00
- IPC分类号: G01N27/00
摘要:
本发明公开了一种用于气敏材料的多孔硅/氧化钨纳米线复合结构的制备方法,首先采用p型单晶硅作为基底,利用双槽电化学的方法在基底表面制备多孔硅层;再以金属钨作为耙材,利用磁控溅射的方法在多孔硅表面沉积金属钨薄膜;最后,在水平管式炉中,以氩气作为工作气体,氧气作为反应气体,600~750℃条件下,制得多孔硅/氧化钨纳米线复合结构的气敏材料。本发明降低了制备氧化钨纳米线生长温度,显著提高了复合结构气敏材料的比表面积,在150℃的条件下对2ppm NO2的灵敏度为4.76,具有制备工艺简单,易于控制,成本低廉以及对NO2高灵敏度探测等优点。