半导体器件及其制造方法以及电子装置

发明授权

CN103633244B 半导体器件及其制造方法以及电子装置失效 - 权利终止

摘要：

本发明提供能够抑制有机半导体膜因应力而产生特性劣化的半导体器件及其制造方法以及电子装置，所述半导体器件包括：门电极；用于形成沟道的有机半导体膜；以及一对源漏电极，其形成于所述有机半导体膜上，所述一对源漏电极分别包括依次层叠的连接层、缓冲层及布线层。

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L51/00	使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备（由在一个公共衬底中或其上形成的多个组件组成的器件入H01L27/28;使用有机材料的热电器件入H01L35/00,H01L37/00；使用有机材料的压电、电致伸缩或磁致伸缩元件入H01L41/00）
H01L51/05	.专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器