- 专利标题: 使用石墨烯的用于化学传感的场效应晶体管、使用晶体管的化学传感器和制造晶体管的方法
- 专利标题(英): Field effect transistor for chemical sensing using graphene, chemical sensor using the transistor and method for producing the transistor
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申请号: CN201180072103.3申请日: 2011-05-05
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公开(公告)号: CN103649739B公开(公告)日: 2015-07-08
- 发明人: M·安德森 , 拉斯·哈尔特曼 , 阿尼塔·劳埃德斯佩兹 , 鲁思·皮尔斯 , 罗西察·雅基莫娃
- 申请人: 格拉芬斯克公司
- 申请人地址: 瑞典林雪平
- 专利权人: 格拉芬斯克公司
- 当前专利权人: 格拉芬斯克公司
- 当前专利权人地址: 瑞典林雪平
- 代理机构: 北京安信方达知识产权代理有限公司
- 代理商 周靖; 郑霞
- 国际申请: PCT/SE2011/050565 2011.05.05
- 国际公布: WO2012/150884 EN 2012.11.08
- 进入国家日期: 2014-01-03
- 主分类号: G01N27/414
- IPC分类号: G01N27/414
摘要:
用于化学传感的场效应晶体管(20),包括漏极(5)和源极(6)间延伸的导电和化学敏感沟道(2)。栅极(7)被缝隙(10)从沟道(2)分隔,待传感的化学物能经其到达沟道(2),沟道包括布置在电绝缘的石墨烯层衬底(1)上的连续单晶石墨烯层(2a)。石墨烯层(2a)在源极(5)和漏极(6)之间延伸并电连接于源极和漏极。衬底支撑石墨烯层,允许其保持为2维且连续,使其能设置在明确界定表面上,且作为分离的部分生产且添加到晶体管。这对再现性有益且减少在生产期间和之后对石墨烯层损伤的风险。也使能了在单个晶体管之间具有低变化性的低探测极限。还提供了使用晶体管(20)的化学传感器(30)和用于提供晶体管(20)的方法。
公开/授权文献
- CN103649739A 使用石墨烯的用于化学传感的场效应晶体管、使用晶体管的化学传感器和制造晶体管的方法 公开/授权日:2014-03-19