发明授权
- 专利标题: 硅的刻蚀方法
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申请号: CN201210346875.8申请日: 2012-09-18
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公开(公告)号: CN103663357B公开(公告)日: 2017-07-07
- 发明人: 苏佳乐
- 申请人: 无锡华润上华半导体有限公司
- 申请人地址: 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号
- 专利权人: 无锡华润上华半导体有限公司
- 当前专利权人: 无锡华润上华科技有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号
- 代理机构: 广州华进联合专利商标代理有限公司
- 代理商 邓云鹏
- 主分类号: B81C1/00
- IPC分类号: B81C1/00 ; C23F1/12 ; C23F1/02
摘要:
本发明公开一种硅的刻蚀方法,用以在硅衬底上刻蚀不同宽度尺寸的硅槽,包括:S1、提供硅衬底;S2、在硅衬底上沉积掩膜层;S3、对掩膜层进行腐蚀,形成不同宽度尺寸的窗口,其中至少在非最小宽度尺寸窗口的底部,预留一定厚度的掩膜层,以满足S4步骤后,所有硅槽的深度相同;S4、对位于窗口底部的掩膜层和硅衬底进行腐蚀,形成硅槽。本发明通过在非最小宽度尺寸窗口的底部,预留一定厚度的掩膜层,让该一定厚度的掩膜层先保护住较大的窗口,让小的窗口先刻,以实现最终获得的硅槽的深度相同。
公开/授权文献
- CN103663357A 硅的刻蚀方法 公开/授权日:2014-03-26