一种聚吡咯/硫化镉同轴纳米管状材料及其制备方法
Abstract:
本发明涉及一种聚吡咯/硫化镉同轴纳米管状材料及其制备方法,其特征在于:外层是功能性聚合物材料聚吡咯,内层是结晶性半导体材料硫化镉,直径为200nm—300nm。本发明以多孔氧化铝模板(AAO)为辅助条件,通过两步电化学法,调控不同的沉积参数,对同轴材料的结构进行控制,避免了以往制备方法需要两相材料相互匹配的问题,有效的降低了制备工艺的复杂性。
Public/Granted literature
Patent Agency Ranking
0/0