- 专利标题: 具有阻抗匹配电路的半导体装置及其制造方法
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申请号: CN201310413821.3申请日: 2013-09-12
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公开(公告)号: CN103681635B公开(公告)日: 2017-12-08
- 发明人: L·维斯瓦纳坦 , J·K·琼斯 , S·D·马歇尔
- 申请人: 恩智浦美国有限公司
- 申请人地址: 美国得克萨斯
- 专利权人: 恩智浦美国有限公司
- 当前专利权人: 恩智浦美国有限公司
- 当前专利权人地址: 美国得克萨斯
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 刘倜
- 优先权: 13/611,793 2012.09.12 US
- 主分类号: H01L23/64
- IPC分类号: H01L23/64 ; H01L23/66 ; H01L21/02
摘要:
半导体装置(例如,RF装置)的实施例包括衬底、隔离结构、有源装置、引线以及电路。隔离结构耦接于衬底,并且包括开口。由衬底的表面的通过开口暴露的部分限定有源装置区域。有源装置耦接于有源装置区域内的衬底表面。电路电耦接于有源装置和引线之间。电路包括被放置在有源装置区域外的一个或多个元件(物理地耦接于隔离结构和/或位于引线下面)。被放置在有源装置区域外的元件可以包括包络终止电路和/或阻抗匹配电路的元件。实施例还包括制造这种半导体装置的方法。
公开/授权文献
- CN103681635A 具有阻抗匹配电路的半导体装置及其制造方法 公开/授权日:2014-03-26
IPC分类: