本公开涉及异质结化合物半导体保护夹及其形成方法。保护夹被布置在第一终端与第二终端之间，并包括多栅高电子迁移率晶体管（HEMT）、限流电路以及正向触发控制电路。多栅HEMT包括漏极/源极、源极/漏极、第一耗尽模式（D-模式）栅极、第二D-模式栅极以及布置在第一和第二D-模式栅极之间的增强模式（E-模式）栅极。漏极/源极和第一D-模式栅极连接至第一终端，源极/漏极和第二D-模式栅极连接至第二终端。正向触发控制电路和限流电路分别耦接在E-模式栅极与第一和第二终端之间。正向触发控制电路在第一终端的电压比第二终端的电压高正向触发电压时向E-模式栅极提供激活电压。