- 专利标题： 包含铅‑碲基氧化物的导电组合物在具有轻掺杂发射器的半导体装置的制造中的用途
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申请号： CN201210472608.5申请日： 2012-11-20
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公开(公告)号： CN103681949B公开(公告)日： 2017-08-15
- 发明人: B·J·劳克林 , K·R·米克斯卡 , C·托拉迪 , P·D·韦努伊
- 申请人： E·I·内穆尔杜邦公司
- 申请人地址： 美国特拉华州
- 专利权人： E·I·内穆尔杜邦公司
- 当前专利权人： 太阳帕斯特有限责任公司
- 当前专利权人地址： 美国特拉华州
- 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 朱黎明
- 优先权： 13/598,861 20120830 US
- 主分类号： H01L31/18
- IPC分类号： H01L31/18 ; H01B1/22 ; H01L31/0224
摘要：
本发明涉及包含铅‑碲基氧化物的导电组合物在具有轻掺杂发射器的半导体装置的制造中的用途，具体提供一种用于使用厚膜导电浆料组合物在诸如光伏电池的硅半导体装置上形成电极的方法，所述半导体装置包含轻掺杂发射器。所述厚膜浆料包括分散在有机介质中的导电金属的源和Pb‑Te基氧化物。本发明还提供通过所述方法制备的装置和包括轻掺杂发射器和由所述厚膜导电浆料组合物形成的电极的光伏电池。
公开/授权文献
- CN103681949A 包含铅-碲基氧化物的导电组合物在具有轻掺杂发射器的半导体装置的制造中的用途 公开/授权日：2014-03-26
IPC分类:
