发明授权
- 专利标题: 太阳能电池及其制造方法
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申请号: CN201310450083.X申请日: 2013-09-27
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公开(公告)号: CN103700713B公开(公告)日: 2016-10-12
- 发明人: 李贤镐 , 李暻洙 , 朴昶绪
- 申请人: LG电子株式会社
- 申请人地址: 韩国首尔
- 专利权人: LG电子株式会社
- 当前专利权人: 上饶市晶科绿能科技发展有限公司
- 当前专利权人地址: 韩国首尔
- 代理机构: 北京三友知识产权代理有限公司
- 代理商 吕俊刚; 刘久亮
- 优先权: 10-2012-0108061 2012.09.27 KR
- 主分类号: H01L31/0216
- IPC分类号: H01L31/0216 ; H01L31/18
摘要:
本发明提供了一种太阳能电池及其制造方法。太阳能电池包括半导体基板、形成在半导体基板处并且包括p型杂质的p型导电区域和形成在p型导电区域上并且包括铝氧化物的钝化膜。钝化膜具有7至17Å的厚度。
公开/授权文献
- CN103700713A 太阳能电池及其制造方法 公开/授权日:2014-04-02