本发明提供一种新型GaN基LED结构及制备方法，属于半导体光电子器件的制备领域。本发明区别现有技术的核心是：通过在p+-GaN层和n+-GaN层上高温生长掺杂Mg的p-型GaN外延层。其中n+-GaN层中的Si原子可以有效地抑制GaN外延层的点缺陷的形成和发光淬灭现象，p+-GaN层有助于提高空穴电流的注入效率并降低LED的工作电压。在p+-GaN层和n+-GaN层上高温生长GaN基LED，提高了p-型GaN的晶体质量及其中的空穴浓度与迁移率，从而改善了空穴电流的向量子阱有源区的注入效率和LED的发光效率。