发明公开
CN103715991A 微CMOS功率放大器
无效 - 撤回
- 专利标题: 微CMOS功率放大器
- 专利标题(英): Micro CMOS power amplifier
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申请号: CN201210407077.1申请日: 2012-10-23
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公开(公告)号: CN103715991A公开(公告)日: 2014-04-09
- 发明人: 尹圣万 , 朴锺振
- 申请人: 英泰有限公司
- 申请人地址: 韩国京畿道
- 专利权人: 英泰有限公司
- 当前专利权人: 英泰有限公司
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道
- 代理机构: 北京弘权知识产权代理事务所
- 代理商 许伟群; 郭放
- 优先权: 10-2012-0112020 2012.10.09 KR
- 主分类号: H03F1/02
- IPC分类号: H03F1/02 ; H03F3/20 ; H01L23/58
摘要:
本发明涉及一种输出变压器由多层结构的基板构成并与放大电路模块层叠而构成的微CMOS功率放大器,提供如下构成的功率放大器,包括:放大电路模块芯片,其构成为将放大功率的电路模块化成一体;以及输出变压器,其将所述放大电路模块芯片的输出经由变压器电路输出到外部,所述输出变压器通过多层结构的基板实现,所述放大电路模块芯片和所述输出变压器由对层进行层叠而形成。根据如上述的微CMOS功率放大器,在功率放大器中将以往的占较大空间的输出变压器由多层结构的基板来构成,由此能够将芯片尺寸减小到50%以内而不降低功率放大器的输出。
IPC分类: