- 专利标题： 非易失性存储器阵列中的保存单元信息的非易失性存储器
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申请号： CN201280037360.8申请日： 2012-07-25
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公开(公告)号： CN103733260B公开(公告)日： 2016-12-07
- 发明人: 金正丕 , 金泰焕 , 哈利·M·拉奥
- 申请人： 高通股份有限公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 高通股份有限公司
- 当前专利权人： 高通股份有限公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- 代理商 宋献涛
- 优先权： 13/189,784 2011.07.25 US
- 国际申请： PCT/US2012/048208 2012.07.25
- 国际公布： WO2013/016467 EN 2013.01.31
- 进入国家日期： 2014-01-27
- 主分类号： G11C11/16
- IPC分类号： G11C11/16 ; G11C29/00
摘要：
本发明揭示用于将修复单元地址信息保存在非易失性磁阻随机存取存储器MRAM中的系统和方法，所述MRAM具有MRAM单元阵列(510)。存储器存取电路(535)耦合到所述MRAM，且经配置以将出故障的单元地址信息(525)存储在所述MRAM中。
公开/授权文献
- CN103733260A 非易失性存储器阵列中的保存单元信息的非易失性存储器 公开/授权日：2014-04-16
