本发明提供了一种沟槽栅功率场效应晶体管，包括：源极层和漏极层，所述源极层设置在衬底的第一表面，所述漏极层设置在衬底与第一表面相对的第二表面；掺杂阱层，所述掺杂阱层设置在所述源极层和漏极层之间，且与所述源极层和漏极层贴合，所述源极层和漏极层具有第一导电类型，所述掺杂阱层具有第二导电类型；栅极，所述衬底的第一表面进一步具有一沟槽，所述沟槽内壁覆盖有栅介质层，所述栅极在所述栅介质层围拢的空间内；所述掺杂阱层在垂直于衬底表面的方向包括由Si1‑xGex/Si构成的异质结。本发明的优点在于，可以通过调整Ge的摩尔百分比来调整异质结的能带结构，实现器件的优化。