本发明公开了一种前电极绕射式局域背场钝化晶体硅电池的制备方法，在硅片衬底上通过激光器在前电极主栅位置打出一列排布均匀的空洞，取代主栅电极并把指栅电极引到电池背面，起到减小前主栅电极遮光面积并把前电极放在背面的目的；在硅片背面通过原子层沉积或PECVD方式沉积一层Al2O3,起到钝化电池背表面的作用，在该膜表面沉积一层较厚的SiNx，起到保护Al2O3钝化效果的目的，随后设计背面开膜图形，通过激光或化学腐蚀的方式制备出背面电极导电窗口；依次印刷背电极、背面匹配型铝背场、背面的前电极和正面指栅电极，优化印刷和烧结工艺，使电极接触区域形成较好的填充效果。