本发明公开了一种具有接触插栓的半导体结构与其形成方法。该半导体结构包含一基底、一晶体管、一第一内层介电层、一第二内层介电层以及一第一接触插栓。晶体管设置在基底上，且晶体管包含一栅极以及一源极/漏极区。第一内层介电层设置在晶体管上，且与晶体管的栅极的一顶面齐平。第二内层介电层设置在第一内层介电层上。第一接触插栓设置在第一内层介电层以及第二内层介电层中，第一接触插栓包含一第一沟槽部分以及一第一介质孔部分，其中第一沟槽部分以及第一介质孔部分的一交界高于栅极的该顶面。本发明还提供一种形成具有接触插栓的半导体结构的方法。