一种制作金属栅极的方法
Abstract:
本发明公开了一种制作金属栅极的方法,该方法包括:在制作金属栅极过程中,采用电镀的方式形成金属栅极层,该金属栅极层采用钛铝合金,这与形成功函数金属层所采用的沉积方式不同,则金属含量不同,在MOSFET工作时,扩散到p型MOSFET的阻挡层和n型MOSFET的扩散量也不同,对于p型沟道MOSFET和n型沟道MOSFET金属栅极层中的铝扩散到功函数金属层的离子数量不同,这样,在保证p型沟道MOSFET的功函数值达到极值时,提高性能,n型沟道MOSFET的第二阻挡层中从金属栅极层所扩散的铝也比较少,不会降低阻挡层的介电常数值,从而使得不会降低性能。因此,本发明提供的方法可以使得所制作的MOSFET器件的总体性能提高。
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