Invention Grant
- Patent Title: 一种制作金属栅极的方法
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Application No.: CN201210420931.8Application Date: 2012-10-29
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Publication No.: CN103794486BPublication Date: 2016-12-21
- Inventor: 周鸣 , 平延磊
- Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- Applicant Address: 上海市浦东新区张江路18号
- Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- Current Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- Current Assignee Address: 上海市浦东新区张江路18号
- Agency: 北京德琦知识产权代理有限公司
- Agent 牛峥; 王丽琴
- Main IPC: H01L21/288
- IPC: H01L21/288 ; H01L21/8238
Abstract:
本发明公开了一种制作金属栅极的方法,该方法包括:在制作金属栅极过程中,采用电镀的方式形成金属栅极层,该金属栅极层采用钛铝合金,这与形成功函数金属层所采用的沉积方式不同,则金属含量不同,在MOSFET工作时,扩散到p型MOSFET的阻挡层和n型MOSFET的扩散量也不同,对于p型沟道MOSFET和n型沟道MOSFET金属栅极层中的铝扩散到功函数金属层的离子数量不同,这样,在保证p型沟道MOSFET的功函数值达到极值时,提高性能,n型沟道MOSFET的第二阻挡层中从金属栅极层所扩散的铝也比较少,不会降低阻挡层的介电常数值,从而使得不会降低性能。因此,本发明提供的方法可以使得所制作的MOSFET器件的总体性能提高。
Public/Granted literature
- CN103794486A 一种制作金属栅极的方法 Public/Granted day:2014-05-14
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