- 专利标题: 一种钴掺杂的非晶碳膜/GaAs/Ag光敏电阻器件及其制备方法
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申请号: CN201410069877.6申请日: 2014-02-28
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公开(公告)号: CN103794666B公开(公告)日: 2015-12-30
- 发明人: 翟章印 , 俞阿龙 , 张佳
- 申请人: 淮阴师范学院
- 申请人地址: 江苏省淮安市淮阴区长江西路111号
- 专利权人: 淮阴师范学院
- 当前专利权人: 淮阴师范学院
- 当前专利权人地址: 江苏省淮安市淮阴区长江西路111号
- 代理机构: 淮安市科文知识产权事务所
- 代理商 陈静巧
- 主分类号: H01L31/0264
- IPC分类号: H01L31/0264 ; H01L31/10 ; H01L31/20
摘要:
本发明提出了一种钴掺杂的非晶碳膜/GaAs/Ag光敏电阻器件及其制备方法。该方法以硅掺杂的n型GaAs基片作为底层,底层上预设两个电极区位,在一个电极区位的基片上,制备Co掺杂的a-C膜,在Co掺杂的a-C膜上,再采用真空热蒸发方法蒸镀Ag层;在底层上另一个电极区位的基片上直接蒸镀Ag层,从而构成具有p-n结和肖特基结的双结串联结构的光敏电阻器件。该器件不仅红光敏感、光灵敏度高、光响应速度快,具有线性的光照特性,可用作火警报警的光电开关或光功率计,而且还具有所取用的原材料价格低廉,制备工艺简洁,环保无污染等优越性。
公开/授权文献
- CN103794666A 一种钴掺杂的非晶碳膜/GaAs/Ag光敏电阻器件及其制备方法 公开/授权日:2014-05-14