发明授权
- 专利标题: 低温离子注入方法
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申请号: CN201410085914.2申请日: 2011-03-17
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公开(公告)号: CN103834925B公开(公告)日: 2017-01-11
- 发明人: 约翰·D·波拉克 , 万志民 , 艾瑞克·科拉
- 申请人: 汉辰科技股份有限公司
- 申请人地址: 中国台湾新竹县宝山乡新竹科学工业园区研新一路18号5楼
- 专利权人: 汉辰科技股份有限公司
- 当前专利权人: 汉辰科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 中国台湾新竹县宝山乡新竹科学工业园区研新一路18号5楼
- 代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 徐洁晶
- 优先权: 12/750,983 2010.03.31 US
- 分案原申请号: 201110072168.X 2011.03.17
- 主分类号: C23C14/48
- IPC分类号: C23C14/48
摘要:
本发明提供了可增进低温离子注入的产量的技术。在低温离子注入时,注入程序可在冷却程序使衬底温度降至大约为一预定注入温度前开始,而加热程序可在注入程序完成前开始升高衬底的温度。此外,可在注入程序中一部分期间或多个部分期间进行一或多个温度调整程序,以便于注入过程中,使衬底温度可控制地高于预定注入温度。
公开/授权文献
- CN103834925A 低温离子注入方法 公开/授权日:2014-06-04