一种NMOS晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构、位于栅极结构两侧的半导体衬底中的源区和漏区；在半导体衬底上形成缓冲层，所述缓冲层覆盖所述栅极结构、源区和漏区；在所述缓冲层上形成张应力层，所述张应力层的材料为氮化硅，其中，所述缓冲层用于阻挡形成张应力层过程中的氢扩散进入源区和漏区；在形成所述张应力层后，对所述半导体衬底进行退火处理。所述缓冲层对氢向源区和漏区的扩散阻挡作用，确保源区、漏区中硼离子的稳定，并且张应力层的张应力可以适量、稳定保留在栅极、源区和漏区，尤其是栅极以下的沟道区中，有效稳定了NMOS晶体管的阈值电压，提升NMOS晶体管的性能。