发明授权
- 专利标题: 发光二极管
-
申请号: CN201210490083.8申请日: 2012-11-27
-
公开(公告)号: CN103840061B公开(公告)日: 2016-08-03
- 发明人: 陈隆欣 , 陈滨全 , 曾文良
- 申请人: 展晶科技(深圳)有限公司 , 荣创能源科技股份有限公司
- 申请人地址: 广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号
- 专利权人: 展晶科技(深圳)有限公司,荣创能源科技股份有限公司
- 当前专利权人: 展晶科技(深圳)有限公司,荣创能源科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号
- 主分类号: H01L33/48
- IPC分类号: H01L33/48 ; H01L33/62 ; H01L25/075
摘要:
一种发光二极管,包括基座、固定于基座上的第一发光芯片及第二发光芯片、覆盖第一发光芯片及第二发光芯片的封装体,还包括第一导线、与第一导线分离的第二导线及固定于基座上的支撑件,支撑件与第一发光芯片之间的距离以及支撑件与第二发光芯片之间的距离均小于第一发光芯片至第二发光芯片的距离,第一发光芯片通过第一导线连接至支撑件,第二发光芯片通过第二导线连接至支撑件,第一导线与第二导线在支撑件上导通。该发光二极管可有效避免由于导线过程而导致的塌陷问题,从而确保发光二极管的正常发光。
公开/授权文献
- CN103840061A 发光二极管 公开/授权日:2014-06-04
IPC分类: