发明授权
- 专利标题: 光电半导体芯片
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申请号: CN201280048007.X申请日: 2012-09-27
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公开(公告)号: CN103843138B公开(公告)日: 2016-10-26
- 发明人: 诺温·文马尔姆 , 汉斯-于尔根·卢高尔
- 申请人: 欧司朗光电半导体有限公司
- 申请人地址: 德国雷根斯堡
- 专利权人: 欧司朗光电半导体有限公司
- 当前专利权人: 欧司朗光电半导体有限公司
- 当前专利权人地址: 德国雷根斯堡
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 丁永凡; 张春水
- 优先权: 102011115659.7 2011.09.28 DE
- 国际申请: PCT/EP2012/069124 2012.09.27
- 国际公布: WO2013/045574 DE 2013.04.04
- 进入国家日期: 2014-03-28
- 主分类号: H01L27/142
- IPC分类号: H01L27/142 ; H01L31/0352 ; H01L31/0725 ; H01L31/0735 ; H01L31/0236
摘要:
提出一种具有半导体本体(2)的光电半导体芯片(1),所述半导体本体具有带有设为用于产生电能的有源区域(20)的半导体层序列。有源区域(20)构成在第一导电类型的第一半导体层(21)和不同于第一导电类型的第二导电类型的第二半导体层(22)之间。半导体本体(2)设置在载体本体(5)上。第一半导体层(21)设置在第二半导体层(22)的背离载体本体(5)的一侧上。半导体本体(2)具有至少一个凹部(25),所述凹部从载体本体(5)延伸穿过第二半导体层(22)。至少局部地在载体本体(5)和半导体本体(2)之间设置有第一连接结构(31),所述第一连接结构在凹部(25)中与第一半导体层(21)导电地连接。
公开/授权文献
- CN103843138A 光电半导体芯片 公开/授权日:2014-06-04
IPC分类: