- 专利标题: 一种用于调控炭膜气体分离性能的磁场干预成膜方法
-
申请号: CN201210496233.6申请日: 2012-11-29
-
公开(公告)号: CN103846017B公开(公告)日: 2017-08-25
- 发明人: 张兵 , 吴永红 , 石毅 , 赵丹丹 , 党晓龙
- 申请人: 沈阳工业大学
- 申请人地址: 辽宁省沈阳市经济技术开发区沈辽西路111号
- 专利权人: 沈阳工业大学
- 当前专利权人: 沈阳工业大学
- 当前专利权人地址: 辽宁省沈阳市经济技术开发区沈辽西路111号
- 代理机构: 沈阳智龙专利事务所
- 代理商 宋铁军; 周楠
- 主分类号: B01D71/02
- IPC分类号: B01D71/02 ; B01D67/00 ; B01D53/22
摘要:
本发明属于化学工程学科中的传质与分离领域,涉及一种用于调控炭膜气体分离性能的磁场干预成膜方法,通过在炭膜制备过程中的制膜液配制、固化成膜及炭化三个步骤之一的固化成膜步骤引入外加磁场的干预作用,实现对炭膜气体分离性能进行调控的目的。本发明的效果和益处是提供一种调控炭膜气体分离性能的新方法。该方法有望为提高炭膜的性价比做出贡献,同时也为炭膜的功能化制备及在特定领域的应用奠定基础。因此,这种用于调控炭膜气体分离性能的磁场干预成膜方法的推广应用将会推动新型膜分离技术的发展与工业化应用。
公开/授权文献
- CN103846017A 一种用于调控炭膜气体分离性能的磁场干预成膜方法 公开/授权日:2014-06-11